半导体业带头大哥,24年来首易交椅

摘要: 说起半导体,或许大多数人都一知半解,但下面这个,你一定不陌生。Intelinside, 如果仔细看自己的电脑

01-21 16:39 首页 E视角

说起半导体,或许大多数人都一知半解,但下面这个,你一定不陌生。


Intelinside, 如果仔细看自己的电脑,无论是台式机或者笔记本,大都能找到这个标志。在很多人心里,英特尔这个名字,几乎和半导体划上了等号。



1993年, Intel 超越TI成为了半导体第一的地位起,连续24年取得半导体市场毫无争议的带头大哥。Intel牢牢把握整个PC时代微处理器市场,这一半导体界皇冠上的明珠。而且,一直在芯片设计和生产技术两个领域,著名的摩尔定律,就是由Intel引领着整个半导体界在实现。后来,随着市场的变化,台积电利用设计和工艺的分离,三星利用存储器,高通利用移动芯片分别对Intel发起了挑战。虽然都取得了不菲的成绩,但依然没能彻底掰扳倒Intel。


还在2016年一季度,Intel的销售额还比三星高40%, 而仅仅过去一年2017年1季度,这个差异就已经被抹平。三个季度过去,今年全年的销售额三星将超过Intel,成为全球第一,当然只是在销售额上。1993年,英特尔成为世界第一的时候,全球半导体市场占有率为9.2%,而2017年被追上的这一刻,占全球半导体市场13.9%的市场占有率。英特尔并没有退步,而是追赶者三星太生猛,达到了15%的市场占有率。


韩国半导体起步于1974年,韩国半导体工业的第一个fab为韩国半导体Puchon厂。刚开张就面临财务危机,仅生存三个月后,就被李健熙私人投资兼并,后并入三星。 李健熙刚刚收购这个FAB的时候,一定想不到有一天能成为世界第一。


三星在1983年开始DRAM研发,64K DRAM的研发成功对于三星乃至整个韩国半导体业都具有里程碑意义。当时三星与先进国家之间的技术(1.5微米)差距为4年半。而1989年,三星成功开发出16M DRAM(0.25微米),它已领先于全球任何一家制造商。从开始到超越,仅仅经历了6年时间,不得不说三星是个非常值得钦佩的追赶者。三星并没有满足于DRAM市场霸主,接下来又拿下了NAND FLASH市场,并将这一优势从技术和市场占有率上保持优势,2013年笔者见证了三星发布第一款3D FLASH,巩固了市场地位,并为今天成为整个半导体世界霸主埋下伏笔。



成就三星实现超越的,是今年疯狂的存储器价格,移动用DRAM在一年内价格翻倍,NAND FLASH也有超过50%的增幅。许多手机厂商即使追在三星销售人员后面出高价求购,也往往会吃上一顿闭门羹。乙方能做到比甲方还牛X的份上,实在是令人感叹。



值得一提的是,三星并非只有在存储器上有所建树,笔者曾多年供职于三星半导体研究所从事先进逻辑器件技术的开发。特别是在半导体产业界大牛梁孟松的带领下,14nm Finfet 技术实现了首次在逻辑技术上对台积电的反超。三星在逻辑器件代工市场,除了自己的数码产品,苹果和高通都曾是核心客户。笔者参与研发的10nm技术,产品包括高通移动处理器(AP)骁龙835和自家的高阶移动处理器Exynos 8 。另外,三星在图像传感器(Image Sensor)上这几年也进步神速。


更令人瞠目结舌的是,而三星今年在半导体产业上的投资达到史无前例的260亿美元,是去年支出的两倍还多。主要投资方向为: 3D NAND闪存-140亿美元(包括在平泽工厂的产能大幅增长) ;DRAM-70亿美元(用于流程迁移和弥补由于迁移造成的容量损失的额外容量) 代工/其他-50亿美元(提升10纳米制程能力)。


  

巨大的投资将会使明年的存储器产生大量增加,市场价格将出现较大的回落。许多媒体分析称,三星此举可能是针对中国在存储器技术投资的反击。


中国对半导体的投入,让全球半导体玩家紧张不已。中国举全国之力发展半导体,恐怕不是三星用市场手段能吓退或者击退的正如当年三星花了六年时间从无到有,攀上存储器技术的顶峰,由一个追赶者成为引领者。如今,中国正如同当年的三星,发起了强有力的追赶,或许另一个六年之后,市场会出现可喜的变化。

来源:大熊心作

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